早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以新增對(duì)入射光的吸收，但該方法均需先單獨(dú)采用熱氧化方法生長一層10～20umSiO2使硅片表面非晶化、且對(duì)多晶效果不理想。SixNy膜層不僅減緩漿料中玻璃體對(duì)硅的腐蝕抑制Ag的擴(kuò)散速度從而使后續(xù)快燒工藝溫度范圍更寬易于調(diào)節(jié)，而且致密的SixNy膜層是有害雜質(zhì)良好的阻擋層。同時(shí)生成的氫原子對(duì)硅片具有表面鈍化與體鈍化的雙重用途，可以很好地修復(fù)硅中的位錯(cuò)、表面懸掛鍵，提高了硅片中載流子的遷移率因而迅速成為高效電池生產(chǎn)的主流技術(shù)。雙層SiN減反射膜，通過控制各膜層中硅的富集率實(shí)現(xiàn)了5.5%的反射率;而另一種SiN與SiO混合膜，其反射率更是低至4.4%，目前廣泛采用的單層SiN膜減反射率最優(yōu)為10.4%.

在電池背面生長一層10～30nmSiN膜以期最大限度對(duì)電池進(jìn)行鈍化與缺陷的修復(fù)從而提高電池的效率是目前的一個(gè)熱點(diǎn)課題，由于該技術(shù)牽涉到與后面的絲網(wǎng)印刷技術(shù)、電極漿料技術(shù)及燒結(jié)工藝的配合目前尚處于實(shí)驗(yàn)研究階段，但它肯定是今后的一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)。

匹配封裝材料對(duì)光譜的折射率定制減反射膜以獲得最佳的實(shí)際使用效果是光伏公司技術(shù)實(shí)力的體現(xiàn)!如何減少電磁波對(duì)電池表面pN結(jié)輻射損傷以及損傷的有效修復(fù)是該工藝的核心技術(shù)，處理不好往往導(dǎo)致電池效率一致性較差。裝備方面有持續(xù)式間接HF-pECVD、管式直接LF-pECVD。