從分工上看，電源的生產(chǎn)重要有插件、波峰焊接、裝配、手工焊接、線上初步負載檢測、篩選檢驗、成品拼裝、負載老化檢驗、包裝等八大步驟。看起來好像過程并不復雜，但是每個步驟其實都能拆分成若干環(huán)節(jié)。細算下來，一個電源非要經(jīng)過十幾道工序才能生產(chǎn)出來。給大家說的在具體些，例如插件組，一條生產(chǎn)線上十多名插件女工(確實都是比較年輕的女工，因為女孩的雙手更加靈巧)，分為小件插接、大件插接。電源上百多個元件大部分都是靠她們插接固定，然后送入波峰焊接機的。而之后的裝配過程同樣要分成3、4個步驟。分類最多的是品控檢驗員。生產(chǎn)線上他們穿著和其他員工不同顏色的制服，分散在每道分工之間。對上一個環(huán)節(jié)完成的產(chǎn)品進行逐一檢驗。而最關(guān)鍵的負載檢驗，更是要前后進行3次。光單價幾十萬的Chroma電源動態(tài)綜合檢測儀一條生產(chǎn)線上就至少要配4組同時運行。加上其他一些細小環(huán)節(jié)，每個從線上下來的合格電源都算得上是“千錘百煉”了。

1、來料檢查

2、SMT工藝，SMT全稱表面貼片技術(shù)，它是通過高速貼片機將IC安置在指定位置的一項工藝，采用SMT技術(shù)的電源產(chǎn)品可以大幅縮減電源內(nèi)部元器件體積從而帶來功耗損耗的降低，但是由于SMT設(shè)備價值高昂同時關(guān)于料件品質(zhì)要求較高，因此國內(nèi)很多電源制造廠家(包含部分知名品牌)很少應用。

3、稍大體積元器件的插接工作

4、電源半成品就要被送到波峰焊機中進行焊接(RHOS環(huán)保標準)

經(jīng)過波峰焊的電源，從理論上來講全部元器件都會被牢牢的焊接在pCB上

5、對電源進行全面檢測(CHROMA電子負載自動測試儀)

6、封裝工序

7、老化房中進行測試

8、再次利用CHROMA進行全面體檢

小小的電源，看似簡單但實際上從元器件到最終成品卻經(jīng)歷了如此復雜的程序

開關(guān)電源發(fā)展過程中的十個技術(shù)焦點

20世紀60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個發(fā)展階段。

功率半導體器件從雙極型器件(BpT、SCR、GTO)發(fā)展為MOS型器件(功率MOSFET、IGBT、IGCT等)，使電力電子系統(tǒng)有可能實現(xiàn)高頻化，并大幅度降低導通損耗，電路也更為簡單。

自20世紀80年代開始，高頻化和軟開關(guān)技術(shù)的開發(fā)研究，使功率變換器性能更好、重量更輕、尺寸更小。高頻化和軟開關(guān)技術(shù)是過去20年國際電力電子界研究的熱點之一。

20世紀90年代中期，集成電力電子系統(tǒng)和集成電力電子模塊(IpEM)技術(shù)開始發(fā)展，它是當今國際電力電子界亟待解決的新問題之一。

焦點一：功率半導體器件性能

1998年，Infineon公司推出冷MOS管，它采用“超級結(jié)”(Super-Junction)結(jié)構(gòu)，故又稱超結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級，仍保持開關(guān)速度快的特點，是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導體器件。

IGBT剛出現(xiàn)時，電壓、電流額定值只有600V、25A。很長一段時間內(nèi)，耐壓水平限于1200V～1700V，經(jīng)過長時間的探索研究和改進，現(xiàn)在IGBT的電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓IGBT單片耐壓已達到6500V，一般IGBT的工作頻率上限為20kHz～40kHz，基于穿通(pT)型結(jié)構(gòu)應用新技術(shù)制造的IGBT，可工作于150kHz(硬開關(guān))和300kHz(軟開關(guān))。

IGBT的技術(shù)進展實際上是通態(tài)壓降，快速開關(guān)和高耐壓能力三者的折中。隨著工藝和結(jié)構(gòu)形式的不同，IGBT在20年歷史發(fā)展進程中，有以下幾種類型：穿通(pT)型、非穿通(NpT)型、軟穿通(SpT)型、溝漕型和電場截止(FS)型。

碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點是：禁帶寬、工作溫度高(可達600℃)、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導熱性能好、漏電流極小、pN結(jié)耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導體器件。

可以預見，碳化硅將是21世紀最可能成功應用的新型功率半導體器件材料。焦點二：開關(guān)電源功率密度

提高開關(guān)電源的功率密度，使之小型化、輕量化，是人們不斷努力追求的目標。電源的高頻化是國際電力電子界研究的熱點之一。電源的小型化、減輕重量對便攜式電子設(shè)備(如移動電話，數(shù)字相機等)尤為重要。使開關(guān)電源小型化的具體辦法有：

一是高頻化。為了實現(xiàn)電源高功率密度，必須提高pWM變換器的工作頻率、從而減小電路中儲能元件的體積重量。

二是應用壓電變壓器。應用壓電變壓器可使高頻功率變換器實現(xiàn)輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器利用壓電陶瓷材料特有的“電壓-振動”變換和“振動-電壓”變換的性質(zhì)傳送能量，其等效電路如同一個串并聯(lián)諧振電路，是功率變換領(lǐng)域的研究熱點之一。

三是采用新型電容器。為了減小電力電子設(shè)備的體積和重量，須設(shè)法改進電容器的性能，提高能量密度，并研究開發(fā)適合于電力電子及電源系統(tǒng)用的新型電容器，要求電容量大、等效串聯(lián)電阻ESR小、體積小等。

焦點三：高頻磁與同步整流技術(shù)

電源系統(tǒng)中應用大量磁元件，高頻磁元件的材料、結(jié)構(gòu)和性能都不同于工頻磁元件，有許多問題要研究。對高頻磁元件所用磁性材料有如下要求：損耗小，散熱性能好，磁性能優(yōu)越。適用于兆赫級頻率的磁性材料為人們所關(guān)注，納米結(jié)晶軟磁材料也已開發(fā)應用。

高頻化以后，為了提高開關(guān)電源的效率，必須開發(fā)和應用軟開關(guān)技術(shù)。它是過去幾十年國際電源界的一個研究熱點。

關(guān)于低電壓、大電流輸出的軟開關(guān)變換器，進一步提高其效率的措施是設(shè)法降低開關(guān)的通態(tài)損耗。例如同步整流SR技術(shù)，即以功率MOS管反接作為整流用開關(guān)二極管，代替蕭特基二極管(SBD)，可降低管壓降，從而提高電路效率。

焦點四：分布電源結(jié)構(gòu)

分布電源系統(tǒng)適合于用作超高速集成電路組成的大型工作站(如圖像處理站)、大型數(shù)字電子交換系統(tǒng)等的電源，其優(yōu)點是：可實現(xiàn)DC/DC變換器組件模塊化;容易實現(xiàn)N+1功率冗余，提高系統(tǒng)可靠性;易于擴增負載容量;可降低48V母線上的電流和電壓降;容易做到熱分布均勻、便于散熱設(shè)計;瞬態(tài)響應好;可在線更換失效模塊等。

現(xiàn)在分布電源系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu)類型，一是兩級結(jié)構(gòu)，另一種是三級結(jié)構(gòu)。

焦點五：pFC變換器

由于AC/DC變換電路的輸入端有整流元件和濾波電容，在正弦電壓輸入時，單相整流電源供電的電子設(shè)備，電網(wǎng)側(cè)(交流輸入端)功率因數(shù)僅為0.6～0.65。采用pFC(功率因數(shù)校正)變換器，網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)可提高到0.95～0.99，輸入電流THD小于10%。既治理了電網(wǎng)的諧波污染，又提高了電源的整體效率。這一技術(shù)稱為有源功率因數(shù)校正ApFC單相ApFC國內(nèi)外開發(fā)較早，技術(shù)已較成熟;三相ApFC的拓撲類型和控制策略雖然已經(jīng)有很多種，但還有待繼續(xù)研究發(fā)展。

一般高功率因數(shù)AC/DC開關(guān)電源，由兩級拓撲組成，關(guān)于小功率AC/DC開關(guān)電源來說，采用兩級拓撲結(jié)構(gòu)總體效率低、成本高。

假如對輸入端功率因數(shù)要求不特別高時，將pFC變換器和后級DC/DC變換器組合成一個拓撲，構(gòu)成單級高功率因數(shù)AC/DC開關(guān)電源，只用一個主開關(guān)管，可使功率因數(shù)校正到0.8以上，并使輸出直流電壓可調(diào)，這種拓撲結(jié)構(gòu)稱為單管單級即S4pFC變換器。

焦點六：電壓調(diào)節(jié)器模塊VRM

電壓調(diào)節(jié)器模塊是一類低電壓、大電流輸出DC-DC變換器模塊，向微處理器供應電源。現(xiàn)在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的速度和效率日益提高，為降低微處理器IC的電場強度和功耗，必須降低邏輯電壓，新一代微處理器的邏輯電壓已降低至1V，而電流則高達50A～100A，所以對VRM的要求是：輸出電壓很低、輸出電流大、電流變化率高、快速響應等。

焦點七：全數(shù)字化控制

電源的控制已經(jīng)由模擬控制，模數(shù)混合控制，進入到全數(shù)字控制階段。全數(shù)字控制是一個新的發(fā)展趨勢，已經(jīng)在許多功率變換設(shè)備中得到應用。

但是過去數(shù)字控制在DC/DC變換器中用得較少。近兩年來，電源的高性能全數(shù)字控制芯片已經(jīng)開發(fā)，費用也已降到比較合理的水平，歐美已有多家公司開發(fā)并制造出開關(guān)變換器的數(shù)字控制芯片及軟件。

全數(shù)字控制的優(yōu)點是：數(shù)字信號與混合模數(shù)信號相比可以標定更小的量，芯片價格也更低廉;對電流檢測誤差可以進行精確的數(shù)字校正，電壓檢測也更精確;可以實現(xiàn)快速，靈活的控制設(shè)計。

焦點八：電磁兼容性

高頻開關(guān)電源的電磁兼容EMC問題有其特殊性。功率半導體開關(guān)管在開關(guān)過程中出現(xiàn)的di/dt和dv/dt，引起強大的傳導電磁干擾和諧波干擾。有些情況還會引起強電磁場(通常是近場)輻射。不但嚴重污染周圍電磁環(huán)境，對附近的電氣設(shè)備造成電磁干擾，還可能危及附近操作人員的安全。同時，電力電子電路(如開關(guān)變換器)內(nèi)部的控制電路也必須能承受開關(guān)動作出現(xiàn)的EMI及應用現(xiàn)場電磁噪聲的干擾。上述特殊性，再加上EMI測量上的具體困難，在電力電子的電磁兼容領(lǐng)域里，存在著許多交叉科學的前沿課題有待人們研究。國內(nèi)外許多大學均開展了電力電子電路的電磁干擾和電磁兼容性問題的研究，并取得了不少可喜成果。近幾年研究成果表明，開關(guān)變換器中的電磁噪音源，重要來自主開關(guān)器件的開關(guān)用途所出現(xiàn)的電壓、電流變化。變化速度越快，電磁噪音越大。焦點九：設(shè)計和測試技術(shù)

建模、仿真和CAD是一種新的設(shè)計工具。為仿真電源系統(tǒng)，首先要建立仿真模型，包括電力電子器件、變換器電路、數(shù)字和模擬控制電路以及磁元件和磁場分布模型等，還要考慮開關(guān)管的熱模型、可靠性模型和EMC模型。各種模型差別很大，建模的發(fā)展方向是：數(shù)字-模擬混合建模、混合層次建模以及將各種模型組成一個統(tǒng)一的多層次模型等。

電源系統(tǒng)的CAD，包括主電路和控制電路設(shè)計、器件選擇、參數(shù)最優(yōu)化、磁設(shè)計、熱設(shè)計、EMI設(shè)計和印制電路板設(shè)計、可靠性預估、計算機輔助綜合和優(yōu)化設(shè)計等。用基于仿真的專家系統(tǒng)進行電源系統(tǒng)的CAD，可使所設(shè)計的系統(tǒng)性能最優(yōu)，減少設(shè)計制造費用，并能做可制造性分析，是21世紀仿真和CAD技術(shù)的發(fā)展方向之一。此外，電源系統(tǒng)的熱測試、EMI測試、可靠性測試等技術(shù)的開發(fā)、研究與應用也是應大力發(fā)展的。

焦點十：系統(tǒng)集成技術(shù)

電源設(shè)備的制造特點是：非標準件多、勞動強度大、設(shè)計周期長、成本高、可靠性低等，而用戶要求制造廠生產(chǎn)的電源產(chǎn)品更加實用、可靠性更高、更輕小、成本更低。這些情況使電源制造廠家承受巨大壓力，迫切要開展集成電源模塊的研究開發(fā)，使電源產(chǎn)品的標準化、模塊化、可制造性、規(guī)模生產(chǎn)、降低成本等目標得以實現(xiàn)。

實際上，在電源集成技術(shù)的發(fā)展進程中，已經(jīng)經(jīng)歷了電力半導體器件模塊化，功率與控制電路的集成化，集成無源元件(包括磁集成技術(shù))等發(fā)展階段。近年來的發(fā)展方向是將小功率電源系統(tǒng)集成在一個芯片上，可以使電源產(chǎn)品更為緊湊，體積更小，也減小了引線長度，從而減小了寄生參數(shù)。在此基礎(chǔ)上，可以實現(xiàn)一體化，所有元器件連同控制保護集成在一個模塊中。

上世紀90年代，隨著大規(guī)模分布電源系統(tǒng)的發(fā)展，一體化的設(shè)計觀念被推廣到更大容量、更高電壓的電源系統(tǒng)集成，提高了集成度，出現(xiàn)了集成電力電子模塊(IpEM)。IpEM將功率器件與電路、控制以及檢測、執(zhí)行等元件集成封裝，得到標準的，可制造的模塊，既可用于標準設(shè)計，也可用于專用、特殊設(shè)計。優(yōu)點是可快速高效為用戶供應產(chǎn)品，顯著降低成本，提高可靠性。