薄膜太陽(yáng)能電池雖成本低廉，惟在商業(yè)應(yīng)用方面受制于轉(zhuǎn)換效率上限，應(yīng)用多僅限于日照強(qiáng)度高且密集的地區(qū)，不過(guò)美國(guó)科學(xué)家已透過(guò)砷化鎵(GaAs)材料，研發(fā)出最高轉(zhuǎn)換效率達(dá)到28.4%的薄膜太陽(yáng)能電池，其轉(zhuǎn)換率不僅優(yōu)于CIGS(硒化銅銦鎵)薄膜太陽(yáng)能的14%至19%，更進(jìn)一步逼近單結(jié)(p-njunction)薄膜太陽(yáng)能電池33.5%的物理極限。

據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)(physorg.com)報(bào)導(dǎo)，過(guò)去，提升太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換率的關(guān)鍵在于讓電池吸收更多光子、并將之轉(zhuǎn)換為電子提取出來(lái)，化為電能；不過(guò)新型的砷化鎵薄膜太陽(yáng)能電池，強(qiáng)調(diào)的是提取那些衰變電子發(fā)出的外部熒光，并進(jìn)一步將之化為電能，兩兩加成下，可快速將實(shí)際光電轉(zhuǎn)換率往物理極限推進(jìn)。

在此技術(shù)基礎(chǔ)下，未來(lái)用砷化鎵制造的薄膜太陽(yáng)能電池，將有機(jī)會(huì)一再刷新轉(zhuǎn)換效率的實(shí)驗(yàn)記錄。薄膜太陽(yáng)能電池因其使用的半導(dǎo)體材料較少，因此與晶粒型太陽(yáng)能電池相比，具備相當(dāng)?shù)某杀拘б妫┮惨蚱漭^低的轉(zhuǎn)換效率，在日照度有限的地區(qū)難以大規(guī)模應(yīng)用。新型的砷化鎵薄膜太陽(yáng)能電池，透過(guò)更佳的轉(zhuǎn)換率，可望打破此一極限，若再配合聚光透鏡，則其轉(zhuǎn)換效率更可一口氣拉高至30%以上，與高聚光型(HighConcentrationphotovotaic,HCpV)芯片砷化鎵太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換率缺口可望縮小。

透過(guò)單結(jié)薄膜技術(shù)，美國(guó)科學(xué)家已用砷化鎵材料制造出了最高轉(zhuǎn)化效率達(dá)28.4%的薄膜太陽(yáng)能電池。這種電池不僅有望進(jìn)一步推進(jìn)太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率記錄，其單位發(fā)電成本也低于其他包括硅晶、砷化鎵高聚光型太陽(yáng)能電池，盡管砷化鎵較硅晶、CIGS薄膜材料來(lái)得貴，不過(guò)在高光電轉(zhuǎn)換率的支撐下，性價(jià)比已優(yōu)于其他材料，是制造太陽(yáng)能電池相當(dāng)理想的材料。

不過(guò)，在量產(chǎn)技術(shù)尚未完全到位之前，砷化鎵太陽(yáng)能電池仍以HCpV系統(tǒng)為主流，預(yù)期要再3至5年以上時(shí)間，砷化鎵薄膜太陽(yáng)能電池才能導(dǎo)入量產(chǎn)、進(jìn)而投入商業(yè)應(yīng)用運(yùn)轉(zhuǎn)。