本文將摘錄并使用所要介紹的部件的外圍電路。

主要部件的選型：MOSFETQ1

MOSFETQ1是用來驅(qū)動變壓器一次側(cè)的晶體管，是本設(shè)計主題之一的“SiC-MOSFET”。

MOSFET的選型需要考慮最大漏極－源極間電壓、峰值電流、導(dǎo)通電阻Ron的損耗、封裝的最大容許損耗等。

低輸入電壓時，MOSFET的導(dǎo)通時間變長，Ron損耗帶來的發(fā)熱量增加。SiC-MOSFET的特點是Ron低，其傳導(dǎo)損耗也小，但請務(wù)必在組裝在實際pCB板和產(chǎn)品中的狀態(tài)下進行確認，并在必要時利用散熱器等來解決散熱問題。

ID的額定值以Ippk×2左右作為大致的選擇標(biāo)準(zhǔn)。Ippk在變壓器設(shè)計的②中已經(jīng)求出為0.66A。

Vds通過下列公式計算。

Vspike則很難通過計算算出來。所以，根據(jù)經(jīng)驗，在添加緩沖電路的前提下，選擇Vds為1700V的MOSFET。在這個設(shè)計案例中，選擇ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET“SCT2H12NY（1700V、1.15Ω、4A、44W）”或“SCT2H12NZ（1700V、1.15Ω、3.7A、35W）”。

下面以SCT2H12NY為例列出其最大額定值。關(guān)于其他參數(shù)和其他詳細信息，請參考相應(yīng)的技術(shù)規(guī)格書。

關(guān)鍵要點：

?MOSFETQ1使用本設(shè)計主題之一的“SiC-MOSFET”。

?MOSFET的選型需要考慮最大Vds、峰值電流、導(dǎo)通電阻的損耗、封裝的最大容許損耗等。

?以Ippk×2左右作為ID額定值的大致選擇標(biāo)準(zhǔn)。

?Vds通過公式來計算。